3 月 13 日消息，三星电子和 SK 海力士等全球 DRAM 巨头正在加速推进 3D DRAM 的商用化，但远不如美光公司（从 2019 年开始进行 3D DRAM 研究，获得的专利数量是两家公司的 2 ~ 3 倍）。
12 日，韩国半导体业界消息称，三星电子和 SK 海力士的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示将加速 3D DRAM 商业化，他们认为 3D DRAM 是克服 DRAM 物理局限性的一种方法。
在首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上，三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室室长李钟明表示:“3D DRAM 被认为是半导体产业的未来增长动力。”
此外，负责 SK 海力士未来技术研究所的 SK 海力士副总经理车善龙也表示：“将于明年公开 3D DRAM 的电子特性细节，从而确定开发方向。”
3D DRAM 是一种采用全新结构的存储芯片。简单来说，现有 DRAM 产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入 10nm 范围，业界开始面临电容器漏电和干扰等物理限制。为了避免或削弱这种影响，业界引进了高介电常数 (高 K) 沉积材料和极紫外 (EUV) 设备等新材料和设备。但半导体行业认为，制造 10nm 或更先进芯片的小型芯片将为制造商带来巨大挑战。
三星电子和 SK 海力士今年实现量产的高端 DRAM 线宽为 12 纳米。考虑到目前 DRAM 线宽微缩至 1nm 将面临的情况，业界认为 3 ~ 4 年后新型 DRAM 商品化将会是一种必然，而不是一种方向。
当然，与现有的 DRAM 市场不同，据所知 3D DRAM 市场目前还没有绝对的领导者，因此快速量产才是至关重要的。随着 ChatGPT 等人工智能应用产品的活跃，业界也开始增加对高性能、大容量存储半导体的需求。
相信随着三星电子和 SK 海力士开始加快 3D DRAM 技术的商用化，我们未来也将会更多厂商甚至中国厂商推出类似的技术方案和产品，敬请期待。
